研究者通过综合分析提出了单层孪生位错半剪切半拖曳机制，西北即：西北单层孪生位错通过先剪切一半（s=0.66），然后再拖曳一半（~0.08nm）的方式完成孪生过程。
局能解规近日,浙江理工大学胡毅课题组在ChemicalEngineeringJournal（影响因子13.327）上发表了题为HighlyConductiveEGaIn/SilkFibroinInkforGraphene3DArrayStructureMicro-supercapacitors的研究内容（DOI:10.1016/j.cej.2021.132084）。目前，源争议纠平面叉指型MSCs因其优异的柔性和可穿戴性能而被广泛研究，但其仍然面临一些挑战，例如可扩展性有限，离子扩散率低和电子传导性较差。
结果表明，纷调所制备的MSCs-100在25μAcm-2电流密度下具有35.72mFcm-2面积电容，且其柔性测试和集成化MSCs长循环测试均证实其优异的电化学性能。定印叉指构型和3D阵列结构的协同效应为提高能量存储设备性能提供可能。Fig.3.a)TEMimageofphysicalexfoliationgraphenesheet.b)Dynamicviscosityofgrapheneinkatvariableshearrate(0-120s-1).c)Cross-sectionalSEMimage.d)SEMimage.e)MagnifiedSEMimageshowingstackingofgraphenesheets.f)Elementaldistributionmapping.g)3Dheightprofileofgraphenearraystructuremeasuredby3Dstylusprofiler.h)Schematicofmulti-directionalionsdiffusionmechanism.采用物理法剥离的2D石墨烯获得的具有优异流变性(35.63mPa·s)的非牛顿流体电极墨水，西北可保证良好的印制质量（图3a,b）。
由于SF和EGaIn的配位螯合作用，局能解规EGaIn/SF墨水呈现出优异稳定性和流变性，局能解规可轻松在柔性基材上实现图案化，且印制图案表现出有趣的导电恢复机制，包括重力沉积、蒸发诱导、机械烧结和EGaIn自愈合。因此，源争议纠高导电EGaIn集流器、源争议纠叉指构型、3D阵列结构和石墨烯片间的开放空间，四者之间的协同效应可有效提高MSCs电子电导率，改善离子传输路径，增加离子扩散方向和扩散速率。
对比发现，纷调3D阵列结构越规整，纷调离子扩散动力学改善越明显，100目丝网印制的MSCs(MSCs-100)具有突出电化学性能(图4b-d)，其在25μAcm-2电流密度下具有35.72mFcm-2(10.26Fcm-3)面积电容(体积电容)，在CMC/Na2SO4中性凝胶电解质中循环6600次仍具有96%容量保留率(图4e)，当功率密度为41.59mWcm−2时，其面能量密度达3.17μWWhcm−2(图4f)，高于大多数报道的采用不同方法制备的MSCs。
进一步通过调整丝网目数（250、定印150、100和80目），获得石墨烯3D阵列结构叉指型电极（图3c-g）。（c）不同转速下，西北P-CoO@PWC-2的LSV曲线。
（e，局能解规f）P-CoO@PWC-2的HRTEM图像。源争议纠（g）不同催化剂的OER-Tafel图。
（e）不同电位下，纷调P-CoO@PWC-2的电子转移书n和H2O2产率（%）。（i）P-CoO@PWC-1、定印P-CoO@PWC-2、P-CoO@PWC-3、CoO@PWC和PWC的Raman光谱图。
